上海伯東超高真空磁控濺鍍設備 UHV Sputter

伯東企業（上海）有限公司

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企業認證：

價格：電議

所在地：上海

型號：

更新時間：2022-12-09

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公司地址：上海浦東新區新金橋路1888號36號樓7樓702室

13918837267 葉小姐(女士) 銷售工程師

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產品簡介

上海伯東代理超高真空磁控濺鍍設備 UHV Sputter 廣泛應用于半導體, 納米科技, 太陽能電池,科研等行業, 氧化物, 氮化物和金屬材料的研究等.

公司簡介

伯東企業（上海）有限公司專業代理各國知名真空產品位于中國上海浦東外高橋保稅區的伯東企業（上海）有限公司創建于1995年12月，是日本伯東株式會社獨資設立的外商投資企業，公司注冊資金為200萬美元，到目前為止公司從業員工有400多人。
伯東企業（上海）有限公司 (www.hakuto-vacuum.cn）專業銷售及維修德國Pfeiffer單雙級旋片泵，干泵，羅茨泵，分子泵；應用于各種條件下的真空測量(真空計, 真空規管)；檢漏儀，質譜儀，真空系統等等, 維修技術力量雄厚，保證 100 % 擁有標準的德國Pfeiffer原廠測試設備及調整工具和德國Pfeiffer專業培訓工程師，多年來致力于真空系統的安裝、調試、維修、拆機、保養等，具有優良的專業技能和服務意識，并獲得原廠授權維修資質證書。利用 Pfeiffer 進口檢測設備對維修后的產品做全方位性能測試。另外公司還代理美國Brooks CTI Cryopump 冷凝泵/低溫泵, Polycold 冷凍機和美國KRI 離子源，HVA 高真空閥門。
公司一直堅持品質一、信譽至上的原則，為廣大客戶提供了高品質的產品以及良好的售后服務。到目前為止已先后通過了美國UL安全認證、ISO9001－2000質量體系認證、ISO14001－1996環境體系認證。公司將在今后的發展中秉承以人為本，不斷開拓進取的精神，為滿足客戶的需求努力向專業化、優質化、集團化發展。

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產品說明

超高真空磁控濺鍍設備 UHV Sputter
超高真空環境的特征為其真空壓力低于 10^-8至 10^-12托, 超高真空環境對于科學研究非常重要, 因實驗通常要求在整個過程中, 表面應保持無污染狀態并可使用較低能量的電子和離子的實驗技術使用, 而不會受到氣相散射的干擾并可以在這樣超高真空環境下使用濺鍍系統以提供高質量的薄膜.
上海伯東代理超高真空磁控濺鍍設備 UHV Sputter 廣泛應用于半導體, 納米科技, 太陽能電池,科研等行業, 氧化物, 氮化物和金屬材料的研究等.
上海伯東超高真空磁控濺鍍設備配置和優點
客制化基板尺寸, 最大直徑可達12寸晶圓
薄膜均勻度小于±3％
磁控濺鍍源 (最多8個源), 具有多種可選的靶材尺寸
具有順序操作或共沉積的多個濺鍍源
射頻, 直流或脈沖直流, 分別用于非導電與導電靶材
精準流量控制器 (最多4條氣體管線)
基板可加熱到 1000°C
基材到靶材之間距為可調節的
每個濺鍍源和基板均安裝遮板

超高真空磁控濺鍍設備 UHV Sputter

上海伯東代理超高真空磁控濺鍍設備針對超高真空和高溫加熱設計的基板旋轉鍍膜機構, 使用陶瓷培林旋轉, 并在內部做水冷, 來保護機構以確保長時間運轉的穩定.

超高真空磁控濺鍍設備 UHV Sputter

磁控濺鍍設備基本參數

系統類型	Real 超高真空	超高真空	高真空	緊湊型高真空
極限真空	5X10^-10Torr	5X10^-9Torr	3X10^-7Torr	5X10^-7Torr
腔室密封	全部 CF(烘烤)	一些密封圈(烘烤)	全部密封圈	全部密封圈
電子槍	3-4, 2-3 英寸	3-4, 2-4 英寸	3-4, 2-4 英寸	3-4, 2-3 英寸
電源	DC / DC pulse / RF	DC / DC pulse / RF	DC / DC pulse / RF	DC / DC pulse / RF
Load-lock	標準(HV)	標準(HV)	標準(HV)/可選	標準(HV)/可選
基板	4-6 英寸加熱至 800°C或水冷	4-8 英寸加熱至 800°C或水冷	4-8 英寸加熱至 800°C	4-6 英寸加熱至 800°C
真空泵	低溫泵	低溫泵 / 分子泵	分子泵	分子泵
監控	真空規和Baratron	真空規和Baratron	真空規和Baratron	真空規和Baratron
工藝控制	部分 / 3位 /手動閘閥	部分 / 3位 /手動閘閥	部分 / 3位 /手動閘閥	部分 / 3位 /手動閘閥
氣體	氬氣, 氮氣, 氧氣(load-lock可選)	氬氣, 氮氣, 氧氣(load-lock可選)	氬氣, 氮氣, 氧氣	氬氣, 氮氣, 氧氣
射頻偏壓清潔	300W RF(清潔和蝕刻)	300W RF(清潔和蝕刻)	可選	可選
離子源	100 KRi 離子源	100 KRi 離子源	可選	可選
薄膜	鈦氮化鈮NbTiN, 鈮 Nb, 鈀Pd等	鈦氮化鈮NbTiN, 鈮 Nb, 鈀Pd等	二氧化硅 SiO2, 氮化硅 Si3N4, 氧化鋁Al2O3 等	二氧化硅 SiO2, 氮化硅 Si3N4, 氧化鋁Al2O3 等

磁控濺鍍設備 Sputter

腔體
客制化的腔體尺寸取決于基板尺寸和其應用
腔體為使用金屬密封圈并可烘烤至 150 oC
具有顯示功能的全量程真空計和用于壓力控制的 Baratron 真空計
腔體的極限真空度約10^-10 Torr
選件
可以與傳送腔, 機械手臂和手套箱整合在一起
結合離子源, 熱蒸發源, 電子束...
基板可用射頻或直流偏壓
膜厚監測儀
射頻等離子清潔用于基材
OES, RGA 或制程監控的額外備用端口
應用領域
半導體類, 納米科技
產品質量控制和質量檢查
氧化物, 氮化物和金屬材料的研究
太陽能電池
光學研究, 材料研究

若您需要進一步的了解詳細產品信息或討論 , 請參考以下聯絡方式 :

上海伯東 : 羅先生                               臺灣伯東 : 王小姐
T: +86-21-5046-1322                 T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049
M: +86                    M: +886-939-653-958
                    www.hakuto-vacuum.com.tw

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