產(chǎn)品簡(jiǎn)介
美國(guó)Sinton WCT-120少子壽命測(cè)試儀采用了準(zhǔn)穩(wěn)定態(tài)光電導(dǎo)(QSSPC)測(cè)量方法和分析技術(shù)。
公司簡(jiǎn)介
公司主要是美國(guó)Sinton公司的中國(guó)總代理，光伏半導(dǎo)體測(cè)試儀器 WCT-120少子壽命測(cè)試儀
檢測(cè)原始硅片的性能
測(cè)試過(guò)程硅片的重金屬污染狀況
評(píng)價(jià)表面鈍化和發(fā)射極擴(kuò)散摻雜的好壞 幫助光伏研究人員加有效的研發(fā)
展開(kāi)
產(chǎn)品說(shuō)明
美國(guó)Sinton WCT-120少子壽命測(cè)試儀器采用了獨(dú)特的測(cè)量和分析技術(shù)，包括類(lèi)似平穩(wěn)狀態(tài)photoconductance (QSSPC)測(cè)量方法。可靈敏地反映單晶體重金屬污染及陷阱效應(yīng)表面復(fù)合效應(yīng)等缺陷情況。WCT一個(gè)高度被看待的研究和過(guò)程工具。QSSPC終身測(cè)量也產(chǎn)生含蓄的打開(kāi)電路電壓(對(duì)照明)曲線，與最后的I-V曲線是可比較的在一個(gè)太陽(yáng)能電池過(guò)程的每個(gè)階段。
其它應(yīng)用：
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檢測(cè)原始硅片的性能
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測(cè)試過(guò)程硅片的重金屬污染狀況
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評(píng)價(jià)表面鈍化和發(fā)射極擴(kuò)散摻雜的好壞
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用得到的類(lèi)似IV的開(kāi)壓曲線來(lái)評(píng)價(jià)生產(chǎn)過(guò)程中由生產(chǎn)環(huán)節(jié)造成的漏電。
主要特點(diǎn)：
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只要輕輕一點(diǎn)就能實(shí)現(xiàn)硅片的關(guān)鍵性能測(cè)試，包括表面電阻，少子壽命，陷阱密度，發(fā)射極飽和電流密度和隱含電壓。
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測(cè)量原理：QSSPC（準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)光電導(dǎo)）；
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少子壽命測(cè)量范圍：100 ns-10 ms；
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測(cè)試模式：QSSPC，瞬態(tài)，壽命歸一化分析；
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電阻率測(cè)量范圍：3–600 (undoped) Ohms/sq.；
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注入范圍：1013-1016cm-3；
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感測(cè)器范圍：直徑40-mm；
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測(cè)量樣品規(guī)格：標(biāo)準(zhǔn)直徑: 40–210 mm （或更小尺寸）；
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硅片厚度范圍：10–2000 μm；
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外界環(huán)境溫度：20°C–25°C；
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功率要求：測(cè)試儀： 40 W ， 電腦控制器：200W ，光源：60W；
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通用電源電壓：100–240 VAC 50/60 Hz；
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