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價格：電議
所在地：陜西 西安市
型號：長禾
更新時間：2024-05-08
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公司地址：西安市高新區錦業路69號創新商務公寓1號樓10310室
蒲經理(先生) 經理
隨著技術發展，第三代半導體功率器件開始由實驗室階段步入商業應用，未來應用潛力巨大。通常這些新型器件測試要求更高的電壓和功率水平，更快的開關時間。西安長禾半導體積極布局第三代半導體功率器件的測試業務，引進國際先進的測試技術，為功率半導體產業上下游企業提供器件參數檢測服務，助力器件國產化、高新化發展。
測試標準：
覆蓋MIL-STD-750，IEC 60747系列，GB/T29332等標準；服務內容包括：靜態參數，動態參數，熱特性，雪崩耐量，短路特性及絕緣耐壓測試；設備支持0-1500A，0-3000V的器件參數檢測。HTGB測試、HTRB測試、HT3GB檢測實驗室
產品范圍：
MOSFET、IGBT、DIODE、BJT，第三代半導體器件等分立器件，以及上述元件構成的功率模塊 HTGB測試、HTRB測試、HT3GB檢測實驗室
測試項目：
靜態參數 符號
Drain to Source Breakdown Voltage BVDSS
Drain Leakage Current IDSS
Gate Leakage Current IGSS
Gate Threshold Voltage VGS(th)
Drain to Source On Resistance RDS(on)
Drain to Source On Voltage VDS(on)
Body Diode Forward Voltage VSD
Internal Gate Resistance Rg
Input capacitance Cies
Output capacitance Coes
Reverse transfer capacitance Cres
Transco
Gate to Source Plateau Voltage Vgs(pl)
動態參數 符號
Turn-on delay time td(on)
Rise time tr
Turn-off delay time td(off)
Fall time tf
Turn-on energy Eon
Turn-off energy Eoff
Diode reverse recovery time trr
Diode reverse recovery charge Qrr
Diode peak reverse recovery current Irrm
Diode peak rate of fall of reverse
recovery current dirr/dt
Total gate charge QG
Gate-Emitter charge QGC
Gate-Collector charge QGE
其他參數 符號
thermal resistance Rth
Unclamped Inductive Switching UIS
Reverse biased safe operating area RBSOA
Short circuit safe operation area SCSOA HTGB測試、HTRB測試、HT3GB檢測實驗室
網址/202103/22/10566050.htmlHTGB測試、HTRB測試、HT3GB檢測實驗室的產品說明信息可能還不夠細致和全面，如果您需要更詳細了解HTGB測試、HTRB測試、HT3GB檢測實驗室的相關信息或索取相關資料，歡迎隨時與我聯系！
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