廠商直供雪崩耐量測試儀

西安易恩電氣科技有限公司

會員指數：

企業認證：

價格：電議

所在地：陜西西安市

型號：

更新時間：2022-09-27

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公司地址：西安市高陵區融豪工業城V5

15249202572 李想(女士) 經理

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產品簡介

ENX2020雪崩耐量測試儀是本公司研發設計的測試IGBT、MOSFET、二管雪崩耐量的專業測試設備，能夠準確快速的測試出IGBT、MOSFET、、二管的雪崩耐量。西安易恩電氣ENX2020 雪崩耐量測試系統，該設備包括：可控直流電源、可選電感、電流傳感器、電壓傳感器、雪崩保護電壓、IGBT、MOSFET、二管等功率型器件、IGBT、MOSFET

公司簡介

西安易恩電氣坐落于西安渭北工業裝備區，是陜西省政府重點支持的高新技術企業。公司專注于研發、生產和銷售半導體封裝、測試設備。現已成為國內電力電子行業知名的測試方案供應商。公司以自主研發生產的“軌道機車半導體測試系統”系列產品為主導，在此基礎上相繼推出全自動IGBT參數測試系統、功率器件圖示系統、集成電路測試系統等系列產品。廣泛應用于科研院所、能源、電力電子、交通、船舶制造、軍工、高校等諸多領域。
完善的基礎設施和人才隊伍一直是企業強化建設的重點。公司設有測試實驗室，調試中心，產品研發中心，服務團隊等多個技研服務部門，以滿足不同客戶對測試解決方案的多層次需求。公司研發人員占總人數的40%，碩士學歷以上人員占75%，專業技術人員占比超過66%，成員大多來自航天、航空、半導體及微電子相關研究院所及電力電子行業內的資深人士。公司通過了質量體系ISO9000認證及陜西省軟件企業認定，承擔國家科技部創新基金項目等，目前獲得發明4項，實用新型15項，軟件著作權3項。

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產品說明

廠商直供雪崩耐量測試儀

ENX2020 雪崩耐量測試系統

概述

向半導體的接合部施加較大的反向衰減偏壓時，電場衰減電流的流動會引起雪崩衰減，此時元件可吸收的能量稱為雪崩耐量，表示施加電壓時的抗擊穿性。對于那些在元件兩端產生較大尖峰電壓的應用場合，就要考慮器件的雪崩能量，電壓尖峰所集中的能量主要由電感和電流所決定，因此對于反激的應用場合，電路關斷時會產生較大的電壓尖峰。通常的情況下，功率器件都會降額，從而留有足夠的電壓余量，但是一些電源在輸出短路時，初級會產生較大的電流，加上初級電感，器件就會有雪崩損壞的可能，因此在這樣的應用條件下，就要考慮器件的雪崩能量。另外，由于一些電機的負載是感性負載，而啟動和堵轉過程中會產生高的沖擊電流，因此也要考慮器件的雪崩能量。

ENX2020雪崩耐量測試儀是本公司研發設計的測試IGBT、MOSFET、二管雪崩耐量的專業測試設備，能夠準確快速的測試出IGBT、MOSFET、、二管的雪崩耐量。

西安易恩電氣ENX2020 雪崩耐量測試系統，該設備包括：可控直流電源、可選電感、電流傳感器、電壓傳感器、雪崩保護電壓、IGBT、MOSFET、二管等功率型器件、IGBT、MOSFET、二管功率型器件保護電路、計算機控制系統、雪崩電壓采集系統、雪崩電流采集系統、測試夾具、測試標準適配器、外接測試端口（根據客戶需求）等多個部分。

規格/環境要求

電壓頻率：50Hz±1Hz

環境溫度：15～40℃

工作濕度：溫度不高于+30℃時，相對濕度5%-80%。

溫度+30℃到+50℃時相對濕度5%-45%，無冷凝。

大氣壓力： 86Kpa～106Kpa

海拔高度：不超過3000米。

尺寸：800x800x1800mm

質量：210KG

工作電壓：AC220V±10%無嚴重諧波

系統功耗：320W

通信接口：USB RS232

技術指標

配置	測試范圍	測試參數	條件	范圍
電壓 1000V	IGBTs 緣柵雙型晶體管	EAS/單脈沖雪崩能量	VCE	20V-4500V	20-100V±3%±1V 100-1000V±3%±5V 1000-4500V±3%±10V
電流 200A	MOSFETs MOS場效應管	EAR/重復脈沖雪崩能量	Ic	1mA-200A	1mA-100mA±3%±0.1mA 100mA-2A±3%±5mA 2A-200A±3%±50mA
	DIODEs 二管	IAS/單脈沖雪崩電流	Ea	1J-2000J	1J-100J±3%±1J 100J-500J±3%±5J 500J-2000J±3%±10J
		PAS/單脈沖雪崩功率	IC檢測	50mV/A（取決于傳感器）
			感性負載	10mH、20mH、40mH、80mH、100mH
			重復間隙時間	1-60s可調（步進1s）重復次數：1-50次