寧波瑞柯微智能科技有限公司
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供應(yīng)產(chǎn)品
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FT-343雙電測(cè)電四探針電阻率/方阻測(cè)試儀 FT-343雙電測(cè)電四探針電阻率/方阻測(cè)試儀廣泛用于：覆蓋膜;導(dǎo)電高分子膜，高、低溫電熱膜;隔熱、防輻射導(dǎo)電窗膜 導(dǎo)電(屏蔽)布、裝飾膜、裝飾紙;金屬化標(biāo)簽、合金類箔膜;熔煉、燒結(jié)、濺射、涂覆、涂布層，電阻式、電容式觸屏薄膜;電涂料，其他半導(dǎo)體材料、薄膜材料方阻測(cè)試 |
2024-08-21 |
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FT-803 多功能顆粒強(qiáng)度測(cè)試儀 FT-803多功能顆粒強(qiáng)度測(cè)試儀 滿足標(biāo)準(zhǔn)：符合ASTM D4179，測(cè)定各種固體顆粒，如球狀、擠出狀、和片狀的，催化劑及催化劑載體、藥片、飼料、藥品、化肥,分子篩,谷物類、碳酸鋇、氧化鋅、橡膠助劑、碳黑、包衣煙籽等的抗壓碎強(qiáng)度。符合國(guó)標(biāo)GB/T 30202.3-2013《脫硫脫硝用煤質(zhì)顆粒活性炭試驗(yàn)方法 第3部分：耐壓強(qiáng)度、耐磨強(qiáng) |
2024-08-21 |
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FT-391 手持式四探針方阻測(cè)試儀 一.概述Overview：參照硅片電阻率測(cè)量的標(biāo)準(zhǔn)（ASTM F84）及標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)制造該儀器設(shè)計(jì)符合GB/T 1551-2009 《硅單晶電阻率測(cè)定方法》、GB/T 1551-1995《硅、鍺單晶電阻率測(cè)定直流兩探針法》手持式四探針方阻測(cè)試儀 |
2024-08-21 |
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FT-340系列雙電測(cè)四探針電阻率/方阻測(cè)試儀 FT-340系列雙電測(cè)四探針電阻率/方阻測(cè)試儀本儀器本儀器采用四探針雙電測(cè)量方法，適用于生產(chǎn)企業(yè)、高等院校、科研部門，是檢驗(yàn)和分析導(dǎo)體材料和半導(dǎo)體材料質(zhì)量的一種重要的工具。本儀器配置各類測(cè)量裝置可以測(cè)試不同材料。液晶顯示，無(wú)需人工計(jì)算，并帶有溫度補(bǔ)償功能，電阻率單位自動(dòng)選擇，儀器自動(dòng)測(cè)量并根據(jù)測(cè)試結(jié)果自動(dòng) |
2024-08-19 |
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FT-361 四探針電導(dǎo)率測(cè)試儀 四探針電導(dǎo)率測(cè)試儀 本品為解決四探針法測(cè)試超低阻材料方阻及電阻率，zui小可以測(cè)試到1uΩ方阻值，是目前同行業(yè)中能測(cè)量到的zui小值，采用AD芯片控制，恒流輸出，結(jié)構(gòu)合理、質(zhì)量輕便，運(yùn)輸安全、使用方便；適用于生產(chǎn)企業(yè)、高等院校 |
2024-08-19 |
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普通四探針電阻率測(cè)試儀 按照硅片電阻率測(cè)量的標(biāo)準(zhǔn)（ASTM F84）及標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)制造該儀器設(shè)計(jì)符合GB/T 《硅、鍺單晶電阻率測(cè)定直流兩探針法》普通四探針電阻率測(cè)試儀 |
2024-08-19 |
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FT-361超低阻雙電四探針測(cè)試儀 FT-361超低阻雙電四探針測(cè)試儀一、概述：本品為解決四探針法測(cè)試超低阻材料方阻及電阻率，zui小可以測(cè)試到1uΩ方阻值，是目前同行業(yè)中能測(cè)量到的zui小值，采用AD芯片控制，恒流輸出，結(jié)構(gòu)合理、質(zhì)量輕便，運(yùn)輸安全、使用方便；適用于生產(chǎn)企業(yè)、高等院校、科研部門，是檢驗(yàn)和分析導(dǎo)體材料和半導(dǎo)體材料質(zhì)量的一種重要的 |
2024-08-19 |
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FT-303C 液體電阻率測(cè)試儀 液體電阻率測(cè)試儀 一、 概述：緣材料存在的狀態(tài)有固態(tài)規(guī)則形狀如（長(zhǎng)方體，圓柱體等是固有形狀）及不規(guī)則狀態(tài)（如粉末狀,膏體狀，液態(tài)流動(dòng)狀），目前對(duì)緣體材料的測(cè)試方法和測(cè)量方式基本上是采用三環(huán)電結(jié)構(gòu)測(cè)量規(guī)則形狀體 |
2024-08-19 |
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