SN/LT-3 北京單晶少子壽命測試儀

北京富瑞恒創科技有限公司

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企業認證：

價格：電議

所在地：北京

型號：SN/LT-3

更新時間：2021-06-11

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公司地址：北京市朝陽區三間房西柳村中街

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產品簡介

*.北京單晶少子壽命測試儀該儀器參考美國 A.S.T.M 標準而設計的用于測量硅單晶的非平衡少數載流子壽命；*.測試單晶電阻率范圍： >0.3Ω.cm；*.可測單晶少子壽命范圍： 1μS-10000μS；*.配備光源類型：紅外光源，波長：1.09μm；余輝

公司簡介

北京富瑞恒創科技有限公司，成立于2009年8月，成立至今已經和國內多家知名教育機構，全國各地多家企業有過長期的合作關系，專注于新型材料試驗機的研究，長期聘請清華大學精密儀器系的專家為技術顧問，并成立新型材料檢測儀器研發中心。
北京富瑞恒創科技有限公司是集專業設計、開發、生產與銷售于一體的高新技術股份制企業，專注于新型材料試驗機的研制、材料檢測技術的提高及材料試驗方法的創新，是國內領先的材料試驗檢測儀器的生產企業。
富瑞恒創儀器研發部擁有行業內最優秀的、權威的研發力量及技術團隊，長期聘請清華大學精密儀器系的專家為技術顧問，并成立新型材料檢測儀器研發中心，是對推動國內材料檢測技術的提高和試驗方法創新的重要技術保證力量。富瑞恒創同時還與中科院自動化研究所、國防科技大學等全國數十所科研院所開展緊密合作，并為中國國防軍工企業及航天科技企業和重點實驗室定制生產了大量標準和非標準的專用測試儀器。
富瑞恒創以精美的產品、精湛的技術、精良的品質、精心的服務贏得了廣大用戶和市場份額，產品暢銷全國，擁有一大批國內外著名科研院所及企業用戶，是國內試驗機行業發展速度最快的企業之一。

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產品說明

北京單晶少子壽命測試儀

型號：SN/LT-3

*.北京單晶少子壽命測試儀該儀器參考美國 A.S.T.M 標準而設計的用于   測量硅單晶的非平衡少數載流子壽命；
*.測試單晶電阻率范圍： >0.3Ω.cm；
*.可測單晶少子壽命范圍： 1μS-10000μS；
*.配備光源類型：紅外光源，波長：1.09μm；
余輝<1 μS；閃光頻率為：20-30次／秒；
*.前置放大器：放大倍數約25；
*.北京單晶少子壽命測試儀測量方式：采用對標準曲線讀數方式；*.該儀器參考美國 A.S.T.M 標準而設計的用于   測量硅單晶的非平衡少數載流子壽命；
*.測試單晶電阻率范圍： >0.3Ω.cm；
*.可測單晶少子壽命范圍： 1μS-10000μS；
*.配備光源類型：紅外光源，波長：1.09μm；
余輝<1 μS；閃光頻率為：20-30次／秒；
*.前置放大器：放大倍數約25；
*.測量方式：采用對標準曲線讀數方式；*.該儀器參考美國 A.S.T.M 標準而設計的用于   測量硅單晶的非平衡少數載流子壽命；
*.測試單晶電阻率范圍： >0.3Ω.cm；
*.可測單晶少子壽命范圍： 1μS-10000μS；
*.配備光源類型：紅外光源，波長：1.09μm；
余輝<1 μS；閃光頻率為：20-30次／秒；
*.前置放大器：放大倍數約25；
*.測量方式：采用對標準曲線讀數方式；*.該儀器參考美國 A.S.T.M 標準而設計的用于   測量硅單晶的非平衡少數載流子壽命；
*.測試單晶電阻率范圍： >0.3Ω.cm；
*.可測單晶少子壽命范圍： 1μS-10000μS；
*.配備光源類型：紅外光源，波長：1.09μm；
余輝<1 μS；閃光頻率為：20-30次／秒；
*.前置放大器：放大倍數約25；
*.測量方式：采用對標準曲線讀數方式；*.該儀器參考美國 A.S.T.M 標準而設計的用于   測量硅單晶的非平衡少數載流子壽命；
*.測試單晶電阻率范圍： >0.3Ω.cm；
*.可測單晶少子壽命范圍： 1μS-10000μS；
*.配備光源類型：紅外光源，波長：1.09μm；
余輝<1 μS；閃光頻率為：20-30次／秒；
*.前置放大器：放大倍數約25；
*.測量方式：采用對標準曲線讀數方式；*.該儀器參考美國 A.S.T.M 標準而設計的用于   測量硅單晶的非平衡少數載流子壽命；
*.測試單晶電阻率范圍： >0.3Ω.cm；
*.可測單晶少子壽命范圍： 1μS-10000μS；
*.配備光源類型：紅外光源，波長：1.09μm；
余輝<1 μS；閃光頻率為：20-30次／秒；
*.前置放大器：放大倍數約25；
*.測量方式：采用對標準曲線讀數方式；*.該儀器參考美國 A.S.T.M 標準而設計的用于   測量硅單晶的非平衡少數載流子壽命；
*.測試單晶電阻率范圍： >0.3Ω.cm；
*.可測單晶少子壽命范圍： 1μS-10000μS；
*.配備光源類型：紅外光源，波長：1.09μm；
余輝<1 μS；閃光頻率為：20-30次／秒；
*.前置放大器：放大倍數約25；
*.測量方式：采用對標準曲線讀數方式；*.該儀器參考美國 A.S.T.M 標準而設計的用于   測量硅單晶的非平衡少數載流子壽命；
*.測試單晶電阻率范圍： >0.3Ω.cm；
*.可測單晶少子壽命范圍： 1μS-10000μS；
*.配備光源類型：紅外光源，波長：1.09μm；
余輝<1 μS；閃光頻率為：20-30次／秒；
*.前置放大器：放大倍數約25；
*.測量方式：采用對標準曲線讀數方式；