DL10-TK3580 抗干擾介質(zhì)損耗測試儀

北京北信創(chuàng)展自動化有限公司

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價格：電議

所在地：北京

型號：DL10-TK3580

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更新時間：2018-08-14

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公司地址：北京市德外西三旗泰華龍旗廣場２號樓

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產(chǎn)品簡介

介質(zhì)損耗測試儀是一種的測量介質(zhì)損耗（tgδ）和電容容量（Cx）的儀器，用于工頻高壓下，測量各種緣材料、緣套管、電力電纜、電容器、互感器、變壓器等高壓設備的介質(zhì)損耗

公司簡介

北京北信創(chuàng)展自動化技術有限公司是一家專業(yè)研發(fā)生產(chǎn)環(huán)保、工業(yè)過程、安全領域分析儀器部件產(chǎn)品及預處理部件產(chǎn)品的高新技術企業(yè)。公司充分依靠行業(yè)人才資源優(yōu)勢，集合國內(nèi)前沿技術，優(yōu)選的原理設計，用專業(yè)的技術方案，用科學的體系管理，始終堅持開放創(chuàng)新的發(fā)展戰(zhàn)略，專注于分析系統(tǒng)行業(yè)應用問題解決方案及部件的研究、開發(fā)、生產(chǎn)、銷售、服務、運維，為客戶帶來高效率、高可靠性、高性價比的解決方案及產(chǎn)品，協(xié)助客戶發(fā)展和成功。

公司內(nèi)技術專家擁有多年分析系統(tǒng)行業(yè)研究和應用經(jīng)驗，參與過國家重大技術裝備研制創(chuàng)新項目、國家多項項目專題，創(chuàng)新的產(chǎn)品廣泛應用于冶金、建材、化工、石油、電站、環(huán)保、醫(yī)療等領域，重點為各種過程自動化設備系統(tǒng)提供可靠、經(jīng)濟的解決方案、系統(tǒng)部件和服務。

公司客戶眾多，主要包括國內(nèi)外污染源在線監(jiān)測/過程分析系統(tǒng)集成商、代理商、運行維護商、儀器廠商、熱電廠、污水處理廠、化工廠、鋼鐵廠等。公司可向廣大客戶提供極高性價比的分析儀器、分析模塊、預處理部件、CEMS成套方案、水質(zhì)分析成套方案、工業(yè)過程成套方案等產(chǎn)品，產(chǎn)品可OEM，同時提供ODM、代運維等服務。

北京北信創(chuàng)展自動化技術有限公司以工業(yè)儀器儀表研發(fā)、生產(chǎn)、銷售為一體的科技型企業(yè)。市場定位在冶金、機械制造行業(yè)領域生產(chǎn)過程中的自動化儀器、儀表、數(shù)據(jù)信息等終端產(chǎn)品的推廣和應用。公司擁有一批較強的科技研發(fā)和市場營銷工程師隊伍。北信創(chuàng)展將繼續(xù)堅持誠信、團隊、專業(yè)、創(chuàng)新的企業(yè)精神，以專業(yè)化的技術支持服務與優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品滿足各行業(yè)的需求，為國內(nèi)外儀器儀表市場發(fā)展貢獻力量

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產(chǎn)品說明

抗干擾介質(zhì)損耗測試儀

型號：DL10-TK3580

介質(zhì)損耗測試儀是一種的測量介質(zhì)損耗（tgδ）和電容容量（Cx）的儀器，用于工頻高壓下，測量各種緣材料、緣套管、電力電纜、電容器、互感器、變壓器等高壓設備的介質(zhì)損耗，（tgδ）和電容容量（Cx）它淘汰了 QS 高壓電橋，具有操作簡單、中文顯示、打印、使用方便、無需換算、自帶高壓、抗干擾能力強、測試時間（在同類產(chǎn)品中速度快）等特點。體積小、重量輕是我公司的第二代抗干擾介質(zhì)損耗測試儀。
介質(zhì)損耗測試儀主要技術指標
      1、環(huán)境溫度：0 ～ 40℃（液晶屏應避免長時日照）
      2、相對濕度：30% ～ 70%
      3、供電電源：電壓：220V±10%、頻率：50±1Hz
      4、外形尺寸：長×寬×高   500mm×300mm×400mm
      5、重量：    約18Kg
      6、輸出功率：0.6KVA
      7、顯示分辯率：3位、4位（內(nèi)部全是6位）
      8、測量范圍及輸出電壓選擇：
                介質(zhì)損耗（tgδ）：±0.00～±999%
                試品電容容量（Cx）和加載電壓：

   2.5KV檔:≤300nF（300000pF）            3KV檔:≤200nF（200000pF）
                 5KV檔:≤76nF（76000pF）                7.5KV檔:≤34nF（34000pF）
                 10KV檔:≤20nF（20000pF）
      9、基本測量誤差：
                介質(zhì)損耗（tgδ）：1%±7個字（加載電流20uA～500mA）
                介質(zhì)損耗（tgδ）：2%±9個字（加載電流5uA～20uA）
                電容容量（Cx）：1.5%±1.5pF

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