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Atonarp 質譜分析儀 Aston? 半導體 CVD / ALD 應用
上海伯東代理日本 Ato
narp 過程質譜分析儀 Aston? 專為半導體生產而設計, 作為一個強大的平臺, Aston? 可以取代多種傳統工具, 提供半導體制程中 ALD, CVD, 蝕刻, ALE 和腔室在大批量生產中的氣體偵測分析, 實現尾氣在線監控, 診斷并在一系列應用中提供前所未有的控制水平, 適用于光刻, 電介質和導電蝕刻及沉積, 腔室清潔, 腔室匹配和消解.
Aston? 質譜分析儀耐受腐蝕性氣體和氣化污染物冷凝液, 能夠在半導體生產遇到的惡劣工況下可靠運行, 與傳統質量分析儀相比, 使用 Aston? 的維修間隔更長. 它包括自清潔功能, 可消除由于某些工藝中存在的冷凝物沉積而導致的污垢積累.
Aston? 質譜分析儀典型應用:
保護 CVD 工藝免受干泵故障的影響
真空泵是半導體加工廠中應用最廣泛的設備之一. 它們對各種化學氣相沉積工藝至關重要, 這些工藝在真空下運行, 以確保在較低的加工溫度下獲得均勻, 保形的沉積涂層. 干泵通常是惰性且可靠的, 但在苛刻的半導體制造工藝中進行泵送時, 干泵可能會出現意外故障.
災難性故障
電介質沉積冷凝液和苛刻的工藝氣體 (如NF3) 可能會導致性能下降或突然失效模式, 包括沉積物突然吸入, 排氣堵塞, 導致泵卡住的沉積以及泵部件的腐蝕性退化. 泵故障通常會對 10個甚至 100個在制品晶圓造成不可修復的損壞. 此外, 工具停機和清理可能會導致大量開支和收入損失.
CVD 工藝過程中, 已污染的干泵
上海伯東 Aston? 質譜分析儀提供解決方案
通過在故障前, 提前更換或使干泵離線, 可以減輕災難性的真空損失, 從而提高生產線產量.
數據驅動干泵故障預測. 通過測量進入 (進氣) 和排出 (排氣) 干泵的氣體的分子類型和合格性 (分壓), 可以模擬破壞性腐蝕或沉積物堆積. 僅氣體壓力和體積僅部分指示氣流的腐蝕性或堵塞性. 至關重要的是流經干泵的氣體成分. Aston? 質譜分析儀通過對干泵暴露在氣體濃度下的情況進行建模, 并將模型與實際泵故障相關聯, 可以以高置信度預測干泵的預期運行壽命.
在惡劣的 CVD 環境中, Aston? 利用可操作的數據預測和預防因 PV-CVD 干泵引起的災難性故障, 能夠對破壞性腐蝕或沉積進行預測建模, 優化氮氣吹掃成本.
適用場景: 多個腔室連接到1個干泵, 高濃度的電介質會導致災難性的泵故障 (一次損失 10-100 片的晶圓)
通過使用上海伯東 Ato
narp 過程控制質譜儀 Aston? 可以提高半導體制造工藝的產量, 吞吐量和效率, 此款質譜儀可以在新工藝腔室的組裝過程中進行安裝, 也可將其加裝到已運行的現有腔室, 可在短時間內實現晶圓更高產量!
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