BKTEM-D3A型高溫材料熱電性能測(cè)試儀
關(guān)鍵詞：賽貝克系數(shù)測(cè)試儀，熱電材料，高溫?zé)犭?
塞貝克效應(yīng)也叫熱電效應(yīng)，兩個(gè)不同的電導(dǎo)體或半導(dǎo)體之間的溫差在兩種物質(zhì)之間產(chǎn)生電壓差，當(dāng)熱量施加到兩個(gè)導(dǎo)體或半導(dǎo)體中的一個(gè)時(shí)，加熱的電子便會(huì)流向較冷的導(dǎo)體或半導(dǎo)體。熱電材料的研究在能量保存和能源替代方面有著重要的作用,而熱電系數(shù)是熱電材料的主要參數(shù)之一通過(guò)研究不同溫度下的熱電系數(shù)并配合理論模型可得到載流子類(lèi)型和能帶結(jié)構(gòu)信息等.主要應(yīng)用于能源效率,替代能源,汽車(chē)和燃料消耗等研究.
BKTEM-D3A型高溫材料熱電性能測(cè)試儀是一款集成度高的，應(yīng)用對(duì)于熱電材料熱電性質(zhì)參數(shù)賽貝克系數(shù)和電導(dǎo)率進(jìn)行測(cè)量。
主要應(yīng)用領(lǐng)域：
1、·半導(dǎo)體行業(yè)
2、·能源和環(huán)境工程
3、·熱電測(cè)量
4、制冷行業(yè)
5、大學(xué)研究與教學(xué)
6、材料：半導(dǎo)體、金屬與合金
7、工業(yè)領(lǐng)域：汽車(chē)/航空/航天，開(kāi)發(fā)研究和學(xué)術(shù)研究，半導(dǎo)體行業(yè)/傳感器/熱電發(fā)電機(jī)/制冷設(shè)備
二：儀器測(cè)試原理結(jié)構(gòu)圖
三：主要熱電材料體系：
Bi2Te3/Sb2Te3體系
PbTe體系
SiGe體系
CoSb3為代表的方鉆礦型熱電材料
Zn4Sb3
技術(shù)特點(diǎn)：
· 可控溫場(chǎng)下可同步測(cè)量賽貝克系數(shù)和電阻率
· 標(biāo)準(zhǔn)配置進(jìn)口高級(jí)商用吉時(shí)利（Keithley ）數(shù)采儀表，避免電路板集成數(shù)據(jù)采集技術(shù)帶來(lái)的干擾誤差
Keithley技術(shù)：
100nV rms 噪音本底
直流電壓靈敏度低至 10nV，基本精度為 0.002%（90天）
7ppm DCV 可重復(fù)性，基本 1 年 DCV 準(zhǔn)確度：0.0028%
大讀取速度范圍：2k 讀數(shù)/秒；
溫度分辨率：0.001℃；
交流電壓分辨率：0.1μV
電阻分辨率：1 μΩ
電流分辨率：1nA
低功耗歐姆測(cè)量模式
弱電流電路測(cè)試功能
偏置補(bǔ)償歐姆功能
檢定低壓元件又快又準(zhǔn)確
提高測(cè)量精度的置信度
以低至 100μA 的源電流測(cè)量低阻抗，大程度減少設(shè)備自發(fā)熱
進(jìn)行電阻測(cè)量時(shí)控制測(cè)試電壓，避免擊穿可能已形成的任何氧化物或膜
消除會(huì)在系統(tǒng)環(huán)境中進(jìn)行低電平電阻測(cè)量時(shí)產(chǎn)生錯(cuò)誤的熱效應(yīng)
提供的低電阻測(cè)量
· 標(biāo)配進(jìn)口高級(jí)商用電流源（ADCMT），非電路板集成恒流源，避免無(wú)法輸出小電流而產(chǎn)生熱效應(yīng)和測(cè)不準(zhǔn)
· 恒流源參數(shù)：0.000-220mA；恒流設(shè)置分辨率：100nA；恒流穩(wěn)定性：0.008+20nA/天
· 溫度范圍：RT
up to 1200℃
· 控溫速率：0.01 –100K/min，可以節(jié)約用戶測(cè)試時(shí)間
· 配置垂直放樣結(jié)構(gòu)，上下樣品支架夾持
· 測(cè)量范圍：賽貝克系數(shù)：0.5μV/K-25V/K；電阻率：0.2μO(píng)hmm-2.5KOhmm
· 0-80K溫差范圍可任意設(shè)置溫差值及溫差點(diǎn)的個(gè)數(shù)
· U-I曲線自動(dòng)掃描，計(jì)算出合適的電流數(shù)值， 可以測(cè)量電導(dǎo)率；不會(huì)對(duì)大電阻樣品產(chǎn)生誤差
· 鉑金大電極設(shè)計(jì)，和樣品可充分接觸，對(duì)于不均勻樣品也可獲得良好的導(dǎo)電測(cè)試
· 熱電偶間距可以根據(jù)樣品尺寸調(diào)節(jié)后固定，滿足不同科研要求
·精度：賽貝克系數(shù)：±7%；電導(dǎo)系數(shù)：±7%（熱電材料測(cè)試，非康銅標(biāo)樣）；
· 重復(fù)性：3%
· 高級(jí)應(yīng)用程序控溫技術(shù)，包括溫差和測(cè)量步進(jìn)等高級(jí)要求
· 自由升/降溫、控制溫度程序，進(jìn)行升溫、恒溫與降溫過(guò)程中的數(shù)據(jù)測(cè)量
· 熱電偶探針可選K、S、R型（無(wú)需鎧裝）配置，不會(huì)產(chǎn)生非常大的接觸電阻
· 自動(dòng)壓力安全保護(hù)設(shè)計(jì)，進(jìn)口美國(guó)航天級(jí)硬件配置，確保測(cè)試過(guò)程中不會(huì)發(fā)生爆炸
· 測(cè)量系統(tǒng)：柱狀、片狀、長(zhǎng)方體、薄膜等系統(tǒng)可選
技術(shù)規(guī)格
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溫度范圍 |
RT up to 1200°C |
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控溫速率 |
0.01 – 100k/min |
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控溫精度 |
+/-0.25K |
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測(cè)量方法 |
賽貝克系數(shù)：靜態(tài)直流電 |
電阻系數(shù)：四端法 |
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測(cè)量范圍 |
賽貝克系數(shù)：0.5μV/K-25V/K |
電阻率：0.2μOhmm-2.5KOhmm |
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分辨率 |
賽貝克系數(shù)：10nV/K |
電阻率：10nOhmm |
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精度 |
賽貝克系數(shù)： ± 5 % |
電導(dǎo)系數(shù)：± 7 % |
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重復(fù)性 |
3% |
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電流 |
0 to 220 mA（可控≤0.005mA） 恒流設(shè)置分辨率：100nA 恒流穩(wěn)定性：0.008+20nA/天 |
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數(shù)據(jù)采集 |
100nV rms 噪音本底 直流電壓靈敏度低至 10nV，基本精度為 0.002%（90天） 7ppm DCV 可重復(fù)性，基本 1 年 DCV 準(zhǔn)確度：0.0028% 大讀取速度范圍：2k 讀數(shù)/秒 溫度分辨率：0.001℃； 交流電壓分辨率：0.1μV 電阻分辨率：1 μΩ 電流分辨率：1nA |
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氣氛 |
He、氧化、還原、真空(多種可選) |
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真空度 |
10E-3mbar |
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樣品尺寸 |
直徑或正方形：2 to 4 mm ；長(zhǎng)度：6 to 22mm |
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