上海虹德WZPY2-E32-60雙支埋入式鉑熱電阻

上海虹德WZPY2-E32-60雙支埋入式鉑熱電阻的外層結構及其工藝方法,一種電機用埋置式鉑熱電阻的外層結構,采用具有熱收縮功能的氟塑料套管,套接在鉑熱電阻的本體上,套管的二端用硅膠密封。...
上海虹德WZPY2-E32-60雙支埋入式鉑熱電阻的外層結構及其工藝方法,一種電機用埋置式鉑熱電阻的外層結構,采用具有熱收縮功能的氟塑料套管,套接在鉑熱電阻的本體上,套管的二端用硅膠密封。所述的電機用埋置式鉑熱電阻的外層結構成型工藝,將所述套管套接在鉑熱電阻的本體上,先將套管二端填充硅膠后,進行加熱成型,使套管緊固在鉑熱電阻的本體上。
上海虹德WZPY2-E32-60雙支埋入式鉑熱電阻的外層結構及其工藝方法,一種電機用埋置式鉑熱電阻的外層結構,采用具有熱收縮功能的氟塑料套管,套接在鉑熱電阻的本體上,套管的二端用硅膠密封。的詳細介紹
上海虹德WZPY2-E32-60雙支埋入式鉑熱電阻的外層結構及其工藝方法,一種電機用埋置式鉑熱電阻的外層結構,采用具有熱收縮功能的氟塑料套管,套接在鉑熱電阻的本體上,套管的二端用硅膠密封。概述:
上海虹德WZPY2-E32-60雙支埋入式鉑熱電阻
◆測量范圍:00~200℃
◆分度號:Pt100*2
◆精度等級: A級
◆保護管直徑:Φ3.2mm(特殊外徑請注明)
◆保護管材質:316,其它材質請注明
◆熱電阻接線:三線制接線
◆熱響應時間:T0.5≤15S(在溫度出現(xiàn)階躍變化時,熱電阻的輸出變化至相當于該變化的50%,所需要的時間稱為熱響應時間,用T0.5表示)。
◆熱電阻最小置入深度:7.6mm
◆熱電阻自熱影響:通過熱電阻中測量電流5mA時,測得的電阻增量換算成溫度值應不大于0.30℃。
◆熱電阻絕緣電阻:常溫絕緣電阻的試驗電壓可取直流10~100V任意值,常溫絕緣電阻值應不小于50MΩ。
上海虹德WZPY2-E32-60雙支埋入式鉑熱電阻的外層結構及其工藝方法,一種電機用埋置式鉑熱電阻的外層結構,采用具有熱收縮功能的氟塑料套管,套接在鉑熱電阻的本體上,套管的二端用硅膠密封。是專為測量電機定子槽溫度而設計的,產品外形為圓柱狀、直徑3.2mm,雙支鉑電阻傳感器,使用方便,測溫準確、可靠,根據(jù)用戶需要引出線為二線制,三線制均可生產,引出線長度由用戶自定。
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本發(fā)明的優(yōu)越性在于:所述絕緣套管緊固在鉑熱電阻本體上,不但滿足了耐高溫、高壓、絕緣的特性,而且,產品平整美觀,本體不會發(fā)生扭曲。
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