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產(chǎn)品目錄
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產(chǎn)品詳情
- 產(chǎn)品/服務(wù)：WBFJ-1750型微擾法復(fù)介電常數(shù)測(cè)試系統(tǒng)
- 單 價(jià)：面議
- 更新日期：2024-09-18
- 有效期至：長(zhǎng)期有效
- 瀏覽次數(shù)：886
產(chǎn)品簡(jiǎn)介
微擾法復(fù)介電常數(shù)測(cè)試系統(tǒng)是采用諧振腔微擾法是一種用于研究諧振器性能的方法，特別是在微波技術(shù)領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用。這種方法涉及到在諧振腔內(nèi)部引入微小的擾動(dòng)，這些擾動(dòng)可能來自于腔壁的輕微變形或其他形式的局部變化，然后通過對(duì)微擾前后場(chǎng)量的對(duì)比和分析，來估算這些變化如何影響諧振腔的諧振頻率和其他相關(guān)參數(shù)。...
產(chǎn)品詳細(xì)介紹
WBFJ-1750型微擾法復(fù)介電常數(shù)測(cè)試系統(tǒng)
關(guān)鍵詞：諧振腔，微波，介電常數(shù)tan
微擾法復(fù)介電常數(shù)測(cè)試系統(tǒng)是采用諧振腔微擾法是一種用于研究諧振器性能的方法，特別是在微波技術(shù)領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用。這種方法涉及到在諧振腔內(nèi)部引入微小的擾動(dòng)，這些擾動(dòng)可能來自于腔壁的輕微變形或其他形式的局部變化，然后通過對(duì)微擾前后場(chǎng)量的對(duì)比和分析，來估算這些變化如何影響諧振腔的諧振頻率和其他相關(guān)參數(shù)。微波介質(zhì)材料介電特性的測(cè)量，對(duì)于研究材料的微波特性和制作微波器件，獲得材料的結(jié)構(gòu)信息以促進(jìn)新材料的研制，以及促進(jìn)現(xiàn)代尖端技術(shù)(吸收材料和微波遙感)等都有重要意義。這是研究新型關(guān)鍵材料的重要設(shè)備。
一、主要應(yīng)用范圍：
1、主要應(yīng)用于5G材料，例如薄膜等。
2、高速數(shù)字/微波電路用基底材料 ；
3、濾波器和介電天線用低損耗電介質(zhì) ；
4、化學(xué)制品；
5、薄膜與新材料；半導(dǎo)體材料；電子材料（包括CCL和PCB）
二、主要特點(diǎn)：
1、全新架構(gòu)，更高精度采用了全新的內(nèi)部架構(gòu)，具備更加強(qiáng)大的數(shù)據(jù)處理能力，響應(yīng)速度更快，能輕松實(shí)現(xiàn)4端口S參數(shù)測(cè)量，差分（平衡）測(cè)量，時(shí)域測(cè)量、帶寬、Q值等一鍵測(cè)量。并且其動(dòng)態(tài)范圍高達(dá)135dB，有著極低的相位噪聲，可以幫助工程師在苛刻的測(cè)試場(chǎng)景下仍獲得準(zhǔn)確可靠的測(cè)試結(jié)果。
2、電子校準(zhǔn)件-讓校準(zhǔn)一步到位：頻率范圍9kHz~40GGHz，能幫助工程師解決使用傳統(tǒng)機(jī)械校準(zhǔn)件耗時(shí)久、誤差大、操作繁瑣等問題。電子校準(zhǔn)件大幅縮減了校準(zhǔn)步驟，減少了連接器的損耗，保證了校準(zhǔn)精度，極大的節(jié)省了校準(zhǔn)所需時(shí)間，為多端口測(cè)試和產(chǎn)線測(cè)試提供了極大便利。
3、開關(guān)矩陣-輕松實(shí)現(xiàn)多端口器件測(cè)試需求：?jiǎn)闻_(tái)可將輸出端口擴(kuò)展至24個(gè)，還可繼續(xù)疊加。與傳統(tǒng)測(cè)量方式相比，使用射頻開關(guān)矩陣測(cè)量速度大大提升，可以幫助工程師輕松實(shí)現(xiàn)矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀和多端口被測(cè)物的連接與測(cè)試，也極大的適配了生產(chǎn)線使用場(chǎng)景。
4、脈沖測(cè)量功能：內(nèi)置脈沖調(diào)制器和脈沖發(fā)生器應(yīng)用于測(cè)試諸如功率晶體管之類的大功率被測(cè)器件，以及需要工作在脈沖模式下的模塊。連續(xù)波激勵(lì)所積累的熱量可能會(huì)損壞被測(cè)器件，而使用脈沖激勵(lì)進(jìn)行測(cè)量可以安全地對(duì)這類器件的特性進(jìn)行表征，同時(shí)也支持控制外部脈沖生成器和調(diào)制器，與外部主脈沖保持同步
5、混頻器測(cè)量
6、混頻器是微波毫米波系統(tǒng)的重要部件，其特性的好壞直接影響設(shè)備或儀器的性能。在混頻器研發(fā)生產(chǎn)的各個(gè)階段，都需要對(duì)其性能指標(biāo)進(jìn)行測(cè)量。
三、主要技術(shù)參數(shù)：
頻率范圍：0.1～40.0GHz
測(cè)試溫度：室溫～1750℃
復(fù)介電常數(shù)測(cè)試范圍：
r= 1.0～30.0
tan=5.0×10-4～5×10-2
r= 0.5～10
tan = 0.001～1.0
測(cè)試誤差：
|r/r| 1.5% 當(dāng)r=2.0～30.0
|r| 2.0% r + 0.02 當(dāng)r=1.05～2
|tan| 15.0% tan + 2.010-4
|r/r| 2.0%
|tan| 15% tan + 5.010-4
樣品尺寸：
圓棒或方棒狀小樣品材料，直徑：1.0～6.0mm，高度不低于30mm；（實(shí)際尺寸視具體情況而定）
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